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布局记忆体封测 台厂竞争卡位
2014年01月11日 04:32:42 作者:国际日报 来源:国际日报 字号 打印 关闭

记忆体大厂美光扩大委外封装合作,东芝新厂可望今年量产。日月光、力成、南茂、华东等台厂积极布局,今年记忆体封测竞争卡位,势必激烈。

    展望今年,国际记忆体大厂集中资源开发前端制程,包括动态随机存取记忆体(DRAM)和快闪记忆体(Flash)后段封测可能扩大委外,封测台厂考量自身发展,积极与国际大厂洽商合作。

    美光(Micron)去年以20亿美元买下日本记忆体大厂尔必达(Elpida),提高美光全球DRAM市占率约1倍。

    为进一步整合DRAM封测业务,去年下半年美光着手洽商DRAM后段封测伙伴,计画在中国大陆西安建立标准型DRAM(Commodity DRAM)封装产线,配合美光原先在西安设立的DRAM测试厂。

    产业人士指出,美光在西安计画新设DRAM封装产线,除了业务整合外,也希望稳定自身DRAM封装与测试产线于同一定点。从市场考量,西安持续提供招商优惠,美光也可就近供应中国大陆市场需求。

    产业人士表示,美光计画扩大委外DRAM后段封装,以专注开发前端记忆体高阶制程,今年整合DRAM后段封测业务,脚步会加快。

    法人透露,美光已陆续与日月光、力成、华东、南茂和矽品等封测台厂,洽商在西安合作DRAM封装产线事宜。

    产业人士指出,日月光计画重回记忆体封测领域,扩大营收规模,日月光与美光双方合作意愿颇高,不排除日月光与美光今年合作DRAM封装的可能性。

    不过法人表示,美光DRAM封装合作对象尚未定案,目前仍在洽谈中。

    从封装设备角度来看,产业人士表示,逻辑晶片和记忆体之间封装设备大同小异,DRAM封装产线也多采用打线封装,彼此可相互支援,加上日月光先前也曾透过日月鸿切入记忆体封测领域,日月光若重回记忆体封装领域,预估封装设备机台支出不大。

    若日月光布局DRAM记忆体封装,对南茂、力成和华东记忆体封测台厂将形成激烈竞争压力。

    观察美光DRAM封装委外比重,法人预估,其中大约4成到5成由美光自力完成,约2成多委外由南茂封装,约1成多到2成由力成封装。

    特定封测台厂也曾仔细考虑与美光合作记忆体测试的可能性,测试毛利率较高,而在DRAM后段封装,台厂没有太多主动空间。

    其他封测台厂考量西安设厂环境、距离与自身发展规划,对与美光合作DRAM封装态度相对观望,但持续关注美光委外DRAM后段封装的发展态势。

    另一方面,东芝(Toshiba)和晟碟(SanDisk)合资兴建的NAND型快闪记忆体(NAND Flash)新厂,预估今年可开始量产采用先进细微化技术的高性能NAND Flash产品。

    法人表示,目前东芝NAND型快闪记忆体主要委由力成和艾克尔(Amkor)封测。东芝新厂和既有NAND型快闪记忆体封测委外订单,包括力成、华东和南茂等,今年积极布局,竞争势必相当激烈。

    产业人士指出,美光也规划逐步委外释出位于新加坡NAND型快闪记忆体封测厂的测试业务。目前美光NAND型快闪记忆体测试,除了美光自己测试外,部分也委由力成。若美光计画扩大释出测试订单,力成以及华东也将积极切入。

    整体观察,国际记忆体大厂今年集中火力开发前端制程,进一步整合封测业务,扩大后段封测委外,封测台厂正积极布局,密切观察局势发展。今年台厂在记忆体封测领域,竞争卡位态势将较以往更加激烈。

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